关于MOS管的特性
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MOS管的特性(以N沟道为例)
oMOS管的输入栅极G与漏极D和源极S之间均是绝缘的，但是G-S击穿电压较低（使用时G-S之间加稳压二极管保护）；
oMOS管关断时D-S之间电阻为无穷大，可以承受很高的电压；(注意：一般有反向保护二极管，P在S端，N在D端)
o.当MOS管G极输入的是直流电压时，MOS管是理想的电压控制器件，只需要加合适的Vgs电压，就能很好的打开和关闭MOS管，G极不会产生G极电流Igs，MOS管就能很好的工作。这是因为G输入的是直流电压时，MOS管G极的分布电容对输入的直流控制电压不产生影响。当MOS管G极输入的信号是高频的交流脉冲时，G极上千PF的电容，对输入的高频脉冲呈现很小的阻抗，把前级送到G极的高频脉冲产生短路效应，拉低加到G极的驱动脉冲幅度，同时G极较大的分布电容，也对输入的高频脉冲，产生很强的电容积分效应，把前级送到G极的方波前沿由直角波变成上升的斜坡，因为G极分布电容的放电，把前级送到G极方波的后沿，变成下降的斜坡。前沿上升的斜坡，使MOS管不能快速打开，后沿下降的斜坡，使MOS管不能快速截止。导致MOS管开主损耗和截止损耗大增，MOS管发热严重。
MOS管G极不能开路，在检修中，千万不能断开G极来判断故障。G极开路时，MOS管的D-S极间相当于一个电阻很小的电阻，如果D极加有400电压，将产生极大电流烧毁MOS管。
oDS之间开通时需要输入的Vgs电压与管子特性有关，耐压越低开启电压越低(低压管在2-3V，高压管超过10V)；
oMOS管饱和导通后，其D-S极间电阻Rds很小，一般在几十毫欧到2欧姆之间。
具体大小与管子参数有关，耐压高的管子Rds大、电流越大的管子Rds越小，低压大电流的管子只有10mΩ数量级；
o.MOS管输入交流高频信号时，须考虑G极电容Cgs及电容Cgd的密勒效应对激励波形的影响！输入电容大小与管子本身的参数有关。电流越大的MOS管，Cgs及Cgd对G极输入的高频脉冲信号影响越大。
IC输出的驱动方波到了栅极为什么会变形？
栅极驱动波形分析（1）
19Vp-p
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